隨著原子序數(shù)的增加，鐵族元素對(duì)SiC的活性也增大。III族過(guò)渡金屬(其中包括稀土金屬)可能與SiC發(fā)生反應(yīng)，生成碳化物與硅化物。這樣，盡管大部分過(guò)渡金屬其有較高的難熔性和耐熱性，在研制SiC基金屬陶瓷時(shí)，不能用它作結(jié)合劑。與此同時(shí)，向硅熔融物中加入某些過(guò)渡金屬(Fe、Cr、稀土元素)時(shí)，可以提高SiC在其中的溶解度，從而有可能強(qiáng)化半導(dǎo)體用碳化硅單晶體的培育過(guò)程。

　　碳族元素(IV B族)。碳化硅與碳處于平衡狀態(tài)。SiC在硅中有一定的溶解度，并且隨著溫度的升高，可以提高到19%。在液態(tài)和固態(tài)時(shí)，鍺和硅的相互溶解不受限制。鍺不能生成穩(wěn)定的碳化物;3170℃時(shí)碳在液態(tài)鍺中的溶解度為12%，在鍺的熔點(diǎn)(937℃)下溶解度為101%厘米-3，。在大氣壓力下，Ge不與SiC發(fā)生反應(yīng)，而在25個(gè)工程大氣壓下有可能在SiC中生成鍺的固溶體。錫和鋁不與碳和硅發(fā)生反應(yīng)，也不使它們?nèi)芙狻＿@樣，碳化硅只能被硅和鍺潤(rùn)濕。同時(shí)，如同下面表明的那樣，硅能更好地潤(rùn)濕SiC的表面。山于對(duì)錫和鉛呈惰性，故可以推薦采用碳化硅材料制造與這類金屬熔融物接觸的爐襯、金屬管道成共它部件。