碳化硅六邊形晶體提純方式

文章出處：原創(chuàng) 責(zé)任編輯：admin 人氣：發(fā)表時(shí)間：2016-06-14 15:11

了解碳化硅的朋友一定都知道，使用商業(yè)碳化硅爐有時(shí)可以生長出大的半導(dǎo)體碳化硅晶體。然后最近以實(shí)驗(yàn)室規(guī)模成功地合成了這種晶體材料。生長在石墨坩堝內(nèi)部的空心圓柱體中的碳化硅晶片是在碳管爐內(nèi)加熱到2500℃以上制成的，溫度的安排是要使得碳化硅圓柱體的中心溫度較外部為低。向里面擴(kuò)散的碳化硅蒸汽因而變得過飽和，并且在圓柱體的中心冷凝下來形成單晶體。可以在工作氣筑中引入某種雜質(zhì)以改變生長的晶體的成分。
本篇內(nèi)容碳化硅小編的目的在于向往能夠較為詳盡地探討以后碳化硅晶體生長的方法和性質(zhì)、以及趨向。

碳化硅廠家祝大家闔家歡樂，喜獲豐收碳化硅廠家講解碳化硅物理性質(zhì)及形成