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人造碳化硅的生成方式
文章出處:原創(chuàng)
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發(fā)表時(shí)間:2016-06-14 15:11
對碳化硅有一定了解的朋友應(yīng)該都知道,碳化硅在自然界很少,也就是說想找到大量的天然碳化硅并不是一件容易的事情,僅產(chǎn)于金伯利巖和某些沉積巖中有碳化硅這種物質(zhì)。這樣的量遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能夠滿足工業(yè)的要求。由于我們對碳化硅的用量需求,不得不通過各種方式去生成人造碳化硅。經(jīng)過實(shí)驗(yàn)近代采用硅砂和碳(石油焦)在電護(hù)中加高溫制得碳化硅,最終成為代替天然碳化硅最理想的方式。其反應(yīng)如下:
SiO2+3C反應(yīng)后成為SiC+2CO
在反應(yīng)中還加入木屑、食鹽。加木屑能使反應(yīng)混合物易于排氣,避免發(fā)生爆炸;加入食鹽以除去Al2O3, Fe2O3雜質(zhì)。上述反應(yīng)于1400℃開始,對溫度的要求比較高,最終反應(yīng)生成SiC。