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碳化硅是最早觀察到電發(fā)光的半導(dǎo)體
文章出處：原創(chuàng)
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發(fā)表時(shí)間：2016-06-14 15:11
碳化硅是第一個(gè)觀察到電發(fā)光的半導(dǎo)體，它是一種很硬的材料，它的晶體屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu)。對(duì)于它的研究大部分是在多晶材料或多晶塊中挑選出來(lái)的小晶體上進(jìn)行的。它有多種晶型（有立方碳化硅或六角晶形），隨著晶型的不同，帶隙度寬在2-3eV之間。6H碳化硅的帶隙寬度為2.98eV，且隨溫度升高而減少，其溫度系數(shù)為3.3*0.0001eV/度。碳化硅是一種間接躍遷半導(dǎo)體，可以在其中摻入作為發(fā)光中心的雜質(zhì)來(lái)實(shí)現(xiàn)發(fā)光，通過(guò)雜質(zhì)的選擇，碳化硅可以發(fā)藍(lán)、綠、黃光。6H碳化硅中雜質(zhì)的能級(jí)和相應(yīng)的電發(fā)光管溝屬間接躍遷型。
碳化硅在90-1000K溫度范圍內(nèi)的遷移率具有與其他大多數(shù)半導(dǎo)體不同的行為。N型材料的霍爾遷移率在200K時(shí)約具有10c㎡/V.s的極大值，在1000K時(shí)大約降到2.5c㎡/V.s、90K時(shí)接近于零；P型材料的極大值不明顯，200K時(shí)的遷移率值為70c㎡/V.s，1000K時(shí)為30c㎡/V.s。
碳化硅在90-1000K溫度范圍內(nèi)的遷移率具有與其他大多數(shù)半導(dǎo)體不同的行為。N型材料的霍爾遷移率在200K時(shí)約具有10c㎡/V.s的極大值，在1000K時(shí)大約降到2.5c㎡/V.s、90K時(shí)接近于零；P型材料的極大值不明顯，200K時(shí)的遷移率值為70c㎡/V.s，1000K時(shí)為30c㎡/V.s。
