SiC肖特基二極管能提供近乎理想的動態(tài)性能。做為單子器件，它的工作過程中沒有電荷儲存，因此它的反向恢復(fù)電流僅由它的耗盡層結(jié)電容造成，有正向恢復(fù)電壓其反向恢復(fù)電荷以及其反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重要的是，和它匹配的開關(guān)管的開通損耗也可以得到大幅度減少，因此提高電路的開關(guān)頻率。另外，碳化硅它幾乎沒它幾乎沒有正向恢復(fù)電壓，其它結(jié)合劑相較粘土結(jié)合的碳化硅，因而能夠立即導(dǎo)通，不存在雙極型器件的開通延時現(xiàn)象。在常溫下，其正態(tài)導(dǎo)通壓降和Si超快恢復(fù)器件基本相同，這將有利于將多個SiC肖特基二極管并聯(lián)。在二極管單芯片面積和電流受限的情況下，這可以大幅度提高SiC肖特基二極管的容。

　　SiC電力電子器件中，SiC二極管最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。2001年德國Infineon率先推出SiC二極管產(chǎn)品，美國Cree和意法半導(dǎo)體等廠商也緊隨其后推出了SiC二極管產(chǎn)品。碳化硅在日本，羅姆、新日本無線及瑞薩電子等投產(chǎn)了SiC二極管。碳化硅很多企業(yè)在開發(fā)肖特基勢壘二極管（SBD）和JBS結(jié)構(gòu)二極管。目前，SiC二極管已經(jīng)存在600V~1700V電壓等級和50A電流等級的產(chǎn)品。