以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目。商用的碳化硅基MOSFET國際幾大廠如Cree、碳化硅Infineon、RoHM等廠家都有量產(chǎn)器件，用于PFC/UPS/PV/EV等應(yīng)用場景，國內(nèi)廠家僅基本半導(dǎo)體等少數(shù)幾家能量產(chǎn)碳化硅器件。過了50多年2017/12/14 星期四碳化硅碳化硅

　　近年。800#綠碳化硅。

　　硅作為半導(dǎo)體的主要材料在摩爾定律的規(guī)律下已經(jīng)走過了50多年，尋找新的半導(dǎo)體材料替代硅已經(jīng)成了近些年半導(dǎo)體發(fā)展的方向之一。半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進步，不僅提高了產(chǎn)品性能，同時通過縮小芯片面積降低了成本。然而到2000年的時候業(yè)界就提出硅基產(chǎn)品已經(jīng)快達到物理極限，進一步提高產(chǎn)品性能，工藝的復(fù)雜性帶來的成本升高不能抵扣芯片面積的縮小，從而芯片成本提高。未來如何突破Si材料的極限？人們把目光瞄向了以氮化鎵和碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這種新材料可以滿足提高開關(guān)頻率和增加功率密度的要求。硅作為半導(dǎo)體的主要材料在摩爾定律的規(guī)律下已經(jīng)走