2015年5月8日，在國務(wù)院印發(fā)《中國制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體功率器件，可見第三代半導體行業(yè)在國民經(jīng)濟發(fā)展中的重要地位。碳化硅也得到了世界各地政府的大力支。

　　以碳化硅、件在國務(wù)院印發(fā)《中國制造2025》中4次提到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體功率器氮化鎵為代表的第三代半導體功率器件在國民經(jīng)濟發(fā)展中處于重要地位，碳化硅也得到了世界各地政府的大力支持，當前雖然整個碳化硅功率器件行業(yè)尚在起步階段，碳化硅但預(yù)計整個國內(nèi)市場規(guī)模將達到4000億元，專注于碳化硅 (碳化硅)材料的美國United Silicon Carbide（USCi）正在大力開拓中國市場。。。。。？

　　近年來，以碳化硅(碳化硅)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目。由于其具有禁帶寬、擊穿電場強度高、飽和電子遷移率高、熱導率大、抗輻射能力強等優(yōu)點，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導體照明、新一代移動通信、碳化硅消費類電子等領(lǐng)域，被視為支撐能源、交通、信息、國防等產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，全球市場容量未來將達到百億美元，已成為美國、歐洲、日本半導體行業(yè)的重點研究方向之一。